沖擊萬億元市值！長鑫科技扛起DRAM國產化大旗，中國大廠多久能追上三星、SK海力士？

這幾天，國產DRAM（動態隨機存取存儲器）龍頭長鑫科技（SH688825）是海內外資本市場里存儲芯片板塊的最大看點。

7月16日，長鑫科技開啟科創板申購，發行價為8.66元/股，若超額配售選擇權全額行使，預計募集資金總額約為666億元，成為今年A股最大IPO（首次公開募股）。綜合多家機構給出的預期，公司上市后市值為2萬億元~3萬億元。

IPO上市只是長鑫科技的一個新起點。據長鑫科技招股書，本次IPO公司原計劃募集資金總額295億元，全部用于DRAM主業。Citrini Research的分析顯示，若現有項目如期推進，長鑫科技到2026年底，DRAM晶圓月產能將達到約35萬片，直逼全球三大內存原廠之一的美光。

7月17日，北京大道興業投資創始人黃華艷接受《每日經濟新聞》記者采訪時表示，長鑫科技的上市，將有望重構全球DRAM競爭格局，打破海外定價霸權，同時帶動國內存儲全產業鏈國產化提速。Counterpoint Research研究總監 MS Hwang 向記者直言，“未來幾年，將是決定中國DRAM產業長期競爭力的關鍵階段”。

7月16日，國產存儲“雙子星”的長江存儲也傳出了IPO提速的消息。接下來幾年，中高端存儲芯片的國產化如何演化，我們什么時候有望追平三星、SK海力士這些韓國巨頭？

長鑫上市：全球存儲競爭格局有望重塑

長鑫科技IPO的鐘聲，敲響在全球存儲市場頗具戲劇的時刻。一邊是國內投資者踴躍參與新股申購；另一邊，海外市場存儲芯片股遭遇劇烈震蕩，股價集體回調。

據上海證券交易所7月16日晚披露數據，長鑫科技當天IPO網上發行有效申購戶數達到942.88萬戶，網上發行最終中簽率約為0.47%，兩項指標均刷新科創板的紀錄。然而另一邊，受多重利空信號影響，海外芯片股集體重挫。7月16日一早，韓國KOSPI指數開盤即下跌4.4%，存儲芯片股普跌。同日晚間美股開盤后，半導體、存儲、光通信概念股也集體重挫，閃迪一度大跌超9%，SK海力士ADR一度大跌超8%。

相關分析認為，海外存儲股的震蕩，主因在于大幅上漲后的“獲利回吐”。不過摩根士丹利近日在下調三星電子和SK海力士的投資評級時提到另一種觀點，中國內存廠商（長鑫科技）大額募資擴產DRAM、長江存儲三期產線加速爬坡，產能釋放速度遠超市場此前一致預期。國產存儲擴產將削弱三星、SK海力士、美光長期供給主導地位，給全球存儲定價與盈利周期帶來持續性不確定性。

黃華艷向《每日經濟新聞》記者分析稱，長鑫科技的上市，對國內存儲芯片產業的意義及影響主要體現在：重構全球DRAM競爭格局，打破海外定價霸權；帶動國內存儲全產業鏈國產化提速；完善國產存儲“雙龍頭”生態；加速高端存儲技術國產突破；資本層面樹立硬科技標桿，吸引海量社會資本進入存儲、半導體制造賽道，完善國內存儲產業投融資生態等。

從業績表現來看，長鑫科技IPO踩準了AI（人工智能）驅動的“超級周期”。招股書顯示，2023年至2025年間，公司還一度面臨虧損。然而，進入2026年，公司業績迎來大幅增長。2026年第一季度，長鑫科技歸母凈利潤247.62億元，同比增長1688.3%。公司還預計2026年上半年歸母凈利潤將達到500億至570億元。

“中國存儲廠商將是本輪存儲景氣周期中最大的受益者。”Counterpoint Research研究總監MS Hwang7月17日接受記者采訪時表示，隨著全球供應逐步增加，以及高價格對需求增長形成抑制作用，本輪行業景氣周期將在2028年前后趨于穩定。不過，即使行業進入相對穩定階段，整體市場收入仍將遠高于過去幾年的水平，預計仍將維持此前數倍的規模。

據Omdia統計，按2025年第四季度銷售額計算，長鑫科技的全球DRAM市場份額已增至7.67%，穩居全球第四、中國第一。

中端國產化“躍遷”在即

黃華艷告訴記者，長鑫科技的投資價值在于，它是中國大陸唯一具備DRAM完整IDM（垂直整合器件制造，企業自主覆蓋芯片設計、晶圓制造、封裝測試全鏈條）規模化量產能力的企業，屬于半導體國產化的核心資產。“投資科技就是投資成長賽道，目前長鑫科技具有稀缺壁壘的成長價值。”

放眼全球DRAM市場，三星電子、SK海力士和美光科技三家國際廠商占據絕大部分市場份額。國內廠商里，長鑫科技正逐步嶄露頭角。不過，從第三方機構數據來看，長鑫科技的市場份額距離美光科技依然有較大的差距。CINNO Research資深分析師王菁告訴記者，長鑫目前滲透提升最快的是手機（LPDDR5/5X）、PC（個人電腦）與服務器（DDR5）以及通用DRAM整體。

長鑫科技的招股書同樣顯示，公司LPDDR5、DDR5和LPDDR5X產品分別于2023年、2024年和2025年上半年量產，在中高端市場的滲透率快速提高。這其中一個較重要的背景是，AI浪潮之下，海外三大廠把大量產能轉向高利潤HBM（高帶寬內存），主動讓出中端通用DRAM市場，這讓長鑫科技吃到了最大的份額紅利。長鑫科技2026年爆發式增長的業績也印證了這一點。

據悉，去年11月IC China（中國國際半導體博覽會）上，長鑫首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產品線的最新產品，LPDDR5X 8533和9600已經量產，10667產品已經送樣，產品規格已經追上世界第一梯隊。目前公司正在持續將DDR4產能切換向DDR5，并積極提升產能。

“我認為（國產化）躍遷是必然的，中端存儲確定性全面躍遷將在2~3年內完成。”黃華艷在接受采訪時表示。他認為，在海外大廠將大量產能轉向高利潤HBM，主動讓出中端通用DRAM市場的背景下，國內政企、云廠商、消費電子品牌會強制國產化備貨，預計到2028年，國內中端DRAM自給率有望從當前約8%提升至25%~30%。

MS Hwang在接受采訪時同樣表示，未來幾年將是決定中國DRAM產業長期競爭力的關鍵階段。“受美國設備限制影響，中國DRAM廠商目前在2D制程升級方面基本受限于1a節點，因此，未來能否在VCT、鍵合技術、3D DRAM以及HBM等新技術方向取得突破，將成為行業發展的核心挑戰。盡管突破難度極大，但當前中國DRAM產業的實力正被低估，具備實現突破的潛力。”

差距與突圍路徑

盡管以長鑫科技為代表的國內存儲廠商在過去幾年實現了全球市場份額跨越式發展，與韓國三巨頭的技術差距正在快速縮小。但在先進制程、HBM等高端產品領域，我國廠商與三星、SK海力士、美光等國際巨頭仍存在較明顯差距。國產存儲的優勢體現在消費級中端市場，高毛利AI存儲難以分羹。

“（在高端DRAM或HBM領域）至少在2030年前，中國廠商很難追趕上韓國巨頭。”MS Hwang在接受記者采訪時給出了判斷。他指出，韓國廠商目前仍在持續擴大HBM產能，并依靠其高盈利能力持續加大研發投入，領先優勢預計將得以延續。

MS Hwang補充道：“不過，中國市場本身也是一個重要變量。如果未來中國DRAM廠商能夠生產滿足國內市場需求的產品，而不是依賴進口，那么龐大的本土市場將形成穩定需求，這將顯著改變整個產業競爭格局，并有助于縮小與國際領先廠商之間的差距。”

更大的挑戰來自技術路線的切換和外部限制。王菁向《每日經濟新聞》記者指出，由于缺少EUV光刻機（極紫外光刻機）且受到設備出口管制，長鑫科技在技術節點上落后國際先進水平約兩代，產品的單位容量成本比三大廠明顯偏高，且難以突破HBM良率。

MS Hwang強調，中國存儲廠商要實現高端存儲突破，需要吸取過去產業發展的經驗，重點關注三個方面。首先，要確保不存在知識產權方面的法律風險。這是參與全球競爭的基礎，而不僅僅是立足中國市場的要求。其次，需要建立足夠的市場規模，實現依靠自身EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）支持資本開支（CAPEX）的能力。“我們認為，約15%的市場份額是實現這一目標的重要門檻。”最后，真正的技術領先往往來自創新，而不是簡單追趕。無論是上世紀90年代韓國在堆疊與溝槽技術路線的選擇、三星的3D NAND，以及長江存儲的Xtacking架構，都是通過加快技術創新實現突破，而非單純追求短期投資回報。

長鑫科技的上市，是中國DRAM產業“十年磨一劍”的成人禮，也是另一場持久戰的真正開端。