遼寧
快科技7月23日消息，專業(yè)半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)SemiAnalysis對(duì)麒麟9030手機(jī)SoC進(jìn)行了拆解分析，揭示了中芯國際第三代7nm級(jí)工藝N+3的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。
結(jié)果顯示，N+3的最小金屬間距達(dá)到32.5nm，比Intel 18A工藝用于Panther Lake高性能單元的約36nm間距還要緊湊。
但需要指出的是，Intel 18A工藝本身支持約32nm金屬間距，且SemiAnalysis未公布N+3的其他關(guān)鍵參數(shù)，如接觸柵間距（CGP）、標(biāo)準(zhǔn)單元高度或鰭間距，因此無法對(duì)兩種工藝做全面直接對(duì)比。
不過目前能確認(rèn)的是，N+3的估計(jì)晶體管密度約為113.4 Mtr/mm2，高于臺(tái)積電N6工藝的107.7 Mtr/mm2。
臺(tái)積電N6使用的是多層EUV光刻，中芯國際在不使用EUV光刻機(jī)，通過DUV多重曝光的情況下，在最精細(xì)層上使用自對(duì)準(zhǔn)四重曝光（SAQP），配合大量的設(shè)計(jì)-技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），實(shí)現(xiàn)了更高的晶體管密度，這是不可否認(rèn)的技術(shù)成就。
SemiAnalysis認(rèn)為，中芯國際還采用了減少鰭數(shù)量、接觸孔直接置于有源柵上方、收緊單元間距等方法來提升密度。這些手段確實(shí)能增加晶體管密度，但代價(jià)是工藝復(fù)雜度上升、成本增加、良率風(fēng)險(xiǎn)加劇以及設(shè)計(jì)約束增多。
不過晶體管密度并不等于整體工藝競爭力，雖然麒麟9030布局更緊湊，但其性能僅與大約三年前的旗艦應(yīng)用處理器相當(dāng)，能效與蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科和三星的旗艦存在明顯差距。
因此，將N+3與Intel 18A直接對(duì)標(biāo)并不完全合理，雖然N+3的32.5nm最小金屬間距名義上比Panther Lake使用的36nm更緊，但18A在晶體管密度和性能能效兩方面都更高。
更重要的是，18A采用GAA晶體管和背面供電技術(shù)，使18A在移動(dòng)SoC和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中都具備更強(qiáng)的適用性，這些是N+3目前不具備的架構(gòu)優(yōu)勢。
SemiAnalysis總結(jié)認(rèn)為，出口管制確實(shí)減緩了GUONEI 技術(shù)進(jìn)步的步伐，但進(jìn)步仍在發(fā)生,如果中芯國際繼續(xù)按當(dāng)前路徑，N+4有望接近臺(tái)積電N5級(jí)別的密度，而引入背面供電的N+5可能達(dá)到Intel 18A級(jí)別的密度。
但正如前文所言，晶體管密度本身并不必然帶來性能或能效的實(shí)質(zhì)性提升，中芯國際在架構(gòu)創(chuàng)新和器件層面的追趕仍有一段長路。
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