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《投資者網》吳微
2026年上半年,A股半導體板塊最為矚目的明星企業(yè),拓荊科技(688072.SH)無疑是其中之一。短短半年時間內,拓荊科技股價的累計漲幅就超過了150%,市值從2025年底的不足千億一路躍升。截止停牌前,拓荊科技的公司市值已突破2300億元大關。但這場資本市場狂歡的背后,不僅是公司業(yè)績的高速增長,更源于拓荊科技關鍵資本動作的落地。2026年6月22日,拓荊科技以576.01元/股的高溢價完成了近46億元的定增。
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圖片來源:公司公告
值得注意的是,在拓荊科技資金落袋僅4天后的6月26日晚間,公司又宣布停牌,籌劃通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購買無錫尚積半導體科技股份有限公司(下稱“無錫尚積”)的控股權。拓荊科技這一雷厲風行的收購動作,或意在補齊拓荊科技在物理氣相沉積(PVD)及刻蝕(Etch)領域的業(yè)務短板,推動公司從單一薄膜設備商向對標國際巨頭的“全品類平臺”跨越。
半導體突圍的典范:定增補血與平臺化野心
資料顯示,拓荊科技成立于2010年,由海外歸國專家團隊在沈陽創(chuàng)立,設立初衷即是打破海外廠商在薄膜沉積設備領域的長期壟斷。在治理結構上,雖然公司呈現(xiàn)出“無實控人+多級國資+頂級專家”的特征;但國家集成電路產業(yè)投資基金(大基金)及其關聯(lián)方卻長期為拓荊科技的前三大股東,中科院系資本及地方產投也深度參與其中,因此拓荊科技擁有較強的國資屬性。
經過十余年的技術攻堅,拓荊科技已確立了國產薄膜沉積設備的龍頭地位。公司在等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)市場占有率穩(wěn)居國內第一,并成功攻克了原子層沉積(ALD)和亞大氣壓化學氣相沉積(SACVD)技術,產品也已進入7nm及以下先進工藝節(jié)點。
當前,拓荊科技的設備不僅成為中芯國際(688981.SH)、華虹公司(688347.SH)等頭部晶圓廠的首選,更打破了泛林集團等國際巨頭的壁壘。
在強基本面支撐下,近期,拓荊科技還迎來了資本與業(yè)務的“戴維斯雙擊”。2026年一季度,公司在手訂單突破110億元,年化營收規(guī)模成功跨過了70至80億元的門檻。在這一背景下,拓荊科技推進的46億元定增吸引了12家核心機構參與,其中大基金三期認購8.5億元,易方達基金與瑞銀集團(UBS)等國內外頂級機構也紛紛入局。
據拓荊科技規(guī)劃,這筆巨額資金主要用于前沿技術研發(fā)中心、高端設備產業(yè)化基地及補充流動資金,及為公司后續(xù)的行業(yè)并購提供了充裕的彈藥支撐。
標的公司的成色:無錫尚積的資本局與核心資產
作為此次并購的核心標的,無錫尚積也同樣成色十足。資料顯示,無錫尚積成立于2021年,坐落于江蘇無錫高新區(qū),是一家專注于半導體專用設備研發(fā)的高新技術企業(yè)。
在此次被并購之前,無錫尚積已是國內功率半導體及特色工藝薄膜沉積/刻蝕設備細分行業(yè)的“隱形冠軍”。與拓荊科技擅長的CVD/ALD技術形成完美互補,無錫尚積的核心競爭力主要集中在工藝要求極高的PVD(物理氣相沉積)和ETCH(干法刻蝕)技術上,相關設備成功滿足了國內特色工藝、第三代半導體等領域高質量薄膜生長的需求。
公開資料顯示,無錫尚積300mm(12寸)規(guī)格設備此前已順利交付國內頭部晶圓廠并實現(xiàn)量產驗證。
與拓荊科技國資持股、專業(yè)團隊管理類似,無錫尚積也呈現(xiàn)“專業(yè)團隊創(chuàng)業(yè)+地方國資助推+下游龍頭戰(zhàn)投”的典型特征。在股權安排上,無錫尚積由創(chuàng)始人王世寬及聯(lián)合創(chuàng)始人夏小軍等領銜的核心團隊掌握主要股權。
同時,在2025年密集完成的總計超5億元融資中,無錫尚積成功引入了中國中車旗下中車資本、江蘇戰(zhàn)新母基金、廣州產投及無錫高新區(qū)創(chuàng)投等眾多重量級國資與知名機構股東。
根據2026年6月最新啟動的收購意向公告,拓荊科技擬通過“發(fā)行股份及支付現(xiàn)金”的方式收購無錫尚積的控股權并募集配套資金。目前該交易尚處于籌劃階段,標的資產的最終估值定價以及“股份+現(xiàn)金”的具體支付比例將由交易各方在審計評估完成后另行簽署正式協(xié)議予以確定。
若此次交易順利落地,拓荊科技將把這家優(yōu)質設備商徹底納入麾下,完成向綜合性平臺型設備巨頭邁進的關鍵一步。
交易的底層邏輯:順勢而為與國資共贏
在當前IPO趨緊,市場偏好AI企業(yè)的情況下,從事功率半導體業(yè)務的無錫尚積最終放棄獨立IPO而選擇被并購,或是政策導向、資本效率與產業(yè)發(fā)展規(guī)律共同作用的結果。
首先,隨著近年來IPO審核標準的實質性提高,監(jiān)管層對“硬科技”企業(yè)的盈利能力、現(xiàn)金流及成長性與稀缺性提出了更高的要求。無錫尚積雖技術領先,但在高強度的研發(fā)投入期,公司獨立上市面臨較長的時間成本與不確定性。同時,監(jiān)管層大力鼓勵科技型企業(yè)通過并購重組做大做強。被兩千億市值的拓荊科技收購,無疑為無錫尚積背后的創(chuàng)投機構提供了一條確定性極高的退出通道。
其次,拓荊科技通過收購擴充賽道,這也是半導體設備行業(yè)邁向“平臺化”的必然選擇。面對先進制程研發(fā)的“軍備競賽”,下游晶圓大廠更傾向于選擇能夠提供一站式整體解決方案的設備供應商。
拓荊科技的優(yōu)勢在于前道邏輯與存儲芯片的CVD(化學氣相沉積)及ALD工藝,而無錫尚積則在功率半導體、特色工藝的PVD(物理氣相沉積)及干法刻蝕(ETCH)上具備差異化壁壘。兩者的結合,將使拓荊科技實現(xiàn)“薄膜沉積(CVD+ALD+PVD)+刻蝕”的深度覆蓋,這不僅消除了潛在的公司間競爭,更令拓荊科技有實力在更廣闊的市場中與應用材料等國際巨頭正面抗衡。
最后,從國有資產管理的視角來看,這也是一場國有資本的深度融合與共贏。無錫尚積背后的多級地方國資與產業(yè)基金,能通過此次換股交易,將其持有的股權轉化為拓荊科技這一“國家隊”上市平臺的流動性資產。依托拓荊科技在二級市場的估值溢價,地方國資不僅有效實現(xiàn)了資產的保值增值,更順應了國家關于做強做優(yōu)戰(zhàn)略性新興產業(yè)的宏觀導向。而原本分散的產業(yè)資源得以在國家級平臺上聚攏,真正實現(xiàn)了從“地方扶持”到“國家級產業(yè)艦隊”的戰(zhàn)略躍升。
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拓荊科技
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