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七月的存儲芯片市場,正在上演一場東西方同框的歷史性時刻。
美國東部時間7月10日上午,“HBM之王”SK海力士在紐約時代廣場納斯達克市場中心正式敲鐘,成為首家在美國主板掛牌的韓國存儲巨頭。
鐘聲尚未散盡,太平洋彼岸的上海,另一場資本盛宴已箭在弦上——中國DRAM第一股長鑫科技將于7月16日啟動科創板打新,市值預計突破2萬億元人民幣,成為A股史上最大科技IPO之一。
一個在納斯達克收割AI算力紅利,一個在科創板宣告國產存儲崛起。同一賽道,相隔一周,兩聲鐘響——這場“夢幻聯動”的偶然背后,藏著一個關于全球存儲芯片格局正在深刻重構的必然邏輯。
海力士的故事,是HBM超級周期的封神敘事:憑借對高帶寬內存技術的十年押注,海力士成為英偉達最核心的軍火供應商,每一塊H100、B200背后都有它的身影,單季凈利潤已逼近蘋果平季水準。
而長鑫的故事,則是另一種邏輯——它不是因為技術領先賺到錢,而是因為對手集體“抽身離場”賺到錢。三星、海力士、美光將九成以上產能鎖死在高利潤HBM賽道,DDR4、DDR5、LPDDR5等通用DRAM出現結構性供給真空,長鑫作為全球唯一專注通用DRAM的規模廠商,坐收了一場典型的“別人打高端,我收低端溢價”的歷史性窗口期紅利。
不可否認的是,“硅基文明”的基石——最底層的硬件制造與算力架構,其作為絕對護城河的趨勢越發不可動搖。這場AI牛市也仍在路上,未來Anthropic將挾實現AGI的Mythos等產品登陸納斯達克,新血液的注入將持續推高板塊估值上限,向全球資本證明:這場由硬體制造升級所驅動的牛市,遠未到見頂之時,每一次的短暫調整,都是其積蓄力量、續創新高的跳板。
海力士從首爾到紐約
海力士是全球最大的內存半導體公司之一。公司專注于設計、制造和銷售先進的存儲半導體,包括DRAM(動態隨機存取存儲器)、NAND閃存以及用于AI的HBM。而HBM則是當前AI生態中最為短缺的硬件環節。
本次海力士的募資規模265億美元,僅次于上月上市的SpaceX,為全球第二大IPO,上市當日股價大漲13%。
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今年二季度的財報顯示,海力士的單季度凈利潤高達40.35萬億韓元(約273億美元),同比+398%,環比+165%。要知道,英偉達一季度的凈利潤也不過約190億美元。一家賣全球最貴GPU的公司,單季凈利反而不及海力士。
AI大模型和高性能計算(HPC)的爆發式增長,導致對高帶寬、大容量內存的需求激增。根據Gartner數據,2025年至2027年,整體內存半導體市場預計將以86.0%的復合年增長率擴張,到2027年規模將接近7480億美元。其中HBM增長尤為迅猛。
除了HBM,海力士的DRAM和NAND產品的平均銷售價格也將大幅上漲。同時,行業正從以消費級需求為主,轉向以企業級和數據中心需求為主導,這為高端內存產品(如HBM、企業級SSD)帶來了持續的增長機會。
一張表格就可清晰地看出海力士極高的行業地位和行業競爭格局:
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事實上,此前已經在韓國上市的海力士選擇再度登陸納斯達克,顯然是希望借助當前有利的行業周期,并從中獲益。從需求端來看,存儲芯片仍然供不應求,我們已經看到這種供需緊張帶來的影響,例如蘋果提高了部分產品的售價。
但股價通常會領先于基本面,近期存儲板塊出現大幅回調,強勁的盈利反而導致海力士的估值收縮(即變得更便宜了)。亦有硅谷的投資人對筆者表示,估值倍數收縮事實上也可能是一個看空信號,因為對于周期股來說,往往是在行業周期見頂、盈利表現最好的時候,估值看起來反而最便宜。可見,海力士希望在周期最頂部在美國募集到盡可能多的錢。
在HBM高度緊缺背景下,公司的產能擴張決心也已經彰顯,這也是此次海力士登陸美國融資的主要目的之一。公司正在韓國永仁(Yongin)建設超大規模的半導體集群,并在清州(Cheongju)和美國印第安納州建設先進封裝廠,確保了未來5~10年的產能供給。
此前,在美國上市的存儲巨頭就只有美光科技(Micron)和閃迪(SanDisk)。美光近期已經交出了一份無與倫比的2026財年Q3財報,堪稱“滿分成績單”。它以一己之力打破了近期籠罩在美股上空的“AI科技泡沫見頂論”與“大盤崩潰論”——毛利率沖高至駭人聽聞的84.9%,不僅證明了HBM等尖端AI存儲硬件的絕對溢價權,更標志著存儲板塊已徹底擺脫歷史上的周期性泥潭,轉型為高壁壘、高毛利的絕對核心。
某華爾街投行的資深從業者也對筆者表示,這也印證了Mega Titans理論模型的核心論點:算力硬件與AI基礎設施正在成為主導整個全球經濟與美股大盤的最終驅動力。隨著海力士在納斯達克登陸,這兩大全球存儲巨頭將在美國算力本土化的浪潮中形成合力,聯手滿足北美各大AI云廠商對新一代存儲的極限需求,這將直接開啟納斯達克指數在算力硬核時代的新紀元。
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杠桿危機和周期性之爭
盡管以存儲為首的AI硬件基本面異常強勁,但近期市場波動明顯加劇。
韓國綜合股價指數較6月的歷史高點下跌了約20%,進入了技術上的熊市區間。其中,三星、海力士這兩大存儲巨頭領跌——7月7日,三星二季度營業利潤同比暴漲1810%,業績大超預期,但市場直接“賣事實”,三星收盤跌近7%,海力士跌超6%,韓國KOSPI盤中觸發熔斷,恐慌情緒外溢至美股,美光、閃迪、西部數據盤前跌超5%;7月8日跌勢延續,海力士跌幅進一步擴大至5%,三星電子跌超7%,為本輪調整最深時刻;近幾日,市場有所反彈。
原因也在于,市場在積累了超高浮盈后,投資者獲利了結的沖動加劇,同時杠桿的負面效應開始發酵——2倍杠桿韓國ETF近期大幅回撤,一個月前買入這一ETF的投資者,如今需要上漲150%才能僅僅回本。
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|兩倍杠桿韓國ETF大跌。來源: LSEG Workspace
2倍杠桿的SK海力士ETF則被稱為“杠桿之王”,該ETF已經成長為全球最大的單一個股杠桿ETF。當市場上最擁擠的交易之一,同時也是杠桿最高的交易之一時,波動性往往會自我強化。
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|2倍做多SK海力士ETF規模已遠超2倍做多特斯拉TSLL、2倍做多英偉達NVDL。來源:高盛
除了杠桿風險,周期性之爭則是根本性問題。存儲行業向來是強周期性行業,只是如今強勁的AI相關需求將周期暫時熨平或延長了。目前價值百萬美金的問題就在于——周期性何時回歸?股價何時會提前反應?
AI服務器中存儲價值占比高達40%,這是由于AI處理的token數量持續膨脹,DRAM容量需求隨之翻了近四倍,價格也隨著供不應求一路走高。同時,云廠商與存儲廠商陸續簽訂長期供貨協議(LTA),熨平了過去大起大落的周期波動。
至少在這兩年,傳統意義上的“存儲周期”已經基本消失。
雖然擴產的產能最早也要到2029年才能落地,HBM的緊缺程度毋庸置疑,但摩根士丹利就提到了一個問題,存儲價格同比漲幅從一季度的100%以上,大幅收窄至三季度的個位數至低兩位數區間——這正是“變化速率見頂”的直觀體現。
此外,市場上兩周流傳一則未經證實的消息:全球最大AI算力買家之一(Meta)有意出售富余計算資源。空頭的解讀顯而易見——如果超大規模云廠商算力過剩,整個AI建設是否已供過于求?這也導致全球AI板塊一度暴跌。
如今,機構仍維持對存儲行業的長期看多立場,理由是2027年預期盈利增長35%~40%,以及AI智能體的大規模普及浪潮。但短期內,市場將高度聚焦科技巨頭(超大規模云廠商,如微軟、Meta、谷歌等)的資本開支計劃,因為他們是存儲等AI硬件的“買單方”,如果它們在二季度財報中上調資本開支,存儲股將迎來極佳買入窗口;如果下調,過剩敘事將持續發酵。
“追趕者”長鑫登陸科創板
更值得一提的是,在海力士登陸納斯達克不久后,長鑫科技將在7月16日啟動打新,屆時市值預計將超2萬億元。這似乎也是一種“夢幻聯動”。
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長鑫的盈利邏輯是坐收“HBM擠出紅利”。這是典型的“別人打高端,我收低端溢價”的歷史性窗口。具體而言,三星、海力士宣布逐步退出DDR4生產,部分型號在2025年一個月內漲價約50%,全年累計漲幅逼近800%。TrendForce就預測,2026年普通DRAM獲利有望超越HBM3e,這也是歷史上第一次出現這種反轉。
盡管長鑫科技尚不掌握HBM的話語權,但財報依然炸裂,2025年毛利率同比跳升36個百分點,招股書直接說明原因是“DRAM產品銷售單價在2025年下半年以來持續上漲”。
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對于中國的“追趕者”長鑫而言,短期無疑可以吃“風口的錢”,HBM擠出效應還在持續;中期公司則將賺國產替代的錢,中國是全球最大DRAM消費市場,但長鑫當前全球份額僅7.67%,在國內的滲透率也遠未飽和;但是就長期來看,長鑫的招股書就明確標記,先追通用DRAM,再攻HBM。
募資295億元中,130億用于DRAM技術升級,90億用于前瞻技術研發——這是在為未來的HBM入局做產能和技術儲備。
這一即將上市的巨無霸還引發了流動性擠壓的擔憂,但更多觀點認為,優質巨無霸上市反而會積極推動散戶的參與度,憑借旺盛的基本面和較大的流通盤吸引更多場外資金入市。
事實上,相關IPO也象征著中國的增長核心動力全面轉向新興產業,國內高技術產業工業增加值增速已經達到普通制造業的兩倍。其中,AI智能制造、光通信、算力硬件、智能化設備等細分賽道利潤增速爆發,同比普遍超過50%。
這一背景下,A股結構性行情極度割裂,宏觀數據平淡、但科創賽道大漲,2026年科創50指數年內漲幅領跑全球,這種局面在下半年可能很難出現根本性逆轉。
No.6986 原創首發文章|作者 Irene Zhou
開白名單 duanyu_H|投稿 tougao99999
注:部分素材由作者提供。
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