美銀：SK海力士2028新增產(chǎn)能或僅為原計(jì)劃的六分之一，DRAM價(jià)格操縱爭(zhēng)議再起

美國(guó)銀行最新分析顯示，SK海力士至2028年實(shí)際可新增的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能，可能僅為原計(jì)劃的六分之一，這一判斷不僅令韓國(guó)政府的產(chǎn)能擴(kuò)張藍(lán)圖大打折扣，更為正在進(jìn)行中的DRAM價(jià)格操縱集體訴訟提供了關(guān)鍵佐證。

據(jù)韓國(guó)媒體援引美國(guó)銀行近期報(bào)告，受舊廠關(guān)閉、技術(shù)升級(jí)及制程微縮等因素影響，韓國(guó)每年實(shí)際可增加的運(yùn)營(yíng)存儲(chǔ)晶圓產(chǎn)能不足10%，這意味著到2030年的產(chǎn)能增量將遠(yuǎn)低于韓國(guó)總統(tǒng)李在明此前設(shè)定的"2030年產(chǎn)能翻倍"目標(biāo)。存儲(chǔ)芯片行業(yè)知情人士進(jìn)一步指出，SK海力士至2028年新增產(chǎn)能或僅相當(dāng)于原計(jì)劃的六分之一。

這一判斷直接沖擊DRAM市場(chǎng)的供給預(yù)期。與此同時(shí)，三星、SK海力士與美光三家公司已于今年6月25日在美國(guó)加利福尼亞州聯(lián)邦法院遭到集體訴訟，指控三方串謀操縱DRAM價(jià)格。分析認(rèn)為，SK海力士產(chǎn)能擴(kuò)張嚴(yán)重滯后的現(xiàn)實(shí)，將進(jìn)一步削弱三大廠商在訴訟中的抗辯空間。

產(chǎn)能擴(kuò)張時(shí)間線遠(yuǎn)超預(yù)期

韓國(guó)總統(tǒng)李在明此前積極推介三星與SK海力士分別在該國(guó)西南部光州（Gwangju）和全羅（Jeolla）興建的大型晶圓廠，將其作為實(shí)現(xiàn)"2030年產(chǎn)能翻倍"目標(biāo)的核心支撐。然而，美國(guó)銀行的分析揭示，這一樂觀預(yù)期與現(xiàn)實(shí)之間存在巨大落差。

據(jù)存儲(chǔ)芯片行業(yè)知情人士，僅完成光州和全羅廠區(qū)的地基建設(shè)就需約五年時(shí)間，此后還需三至四年用于潔凈室搭建及芯片制造設(shè)備安裝。完整建立兩處廠區(qū)的制造生態(tài)系統(tǒng)，預(yù)計(jì)耗時(shí)將超過(guò)十年。

在考量舊廠因技術(shù)升級(jí)而關(guān)閉所帶來(lái)的產(chǎn)能縮減后，韓國(guó)每年凈增運(yùn)營(yíng)存儲(chǔ)晶圓產(chǎn)能不足10%，累計(jì)增幅至2030年將顯著低于政府既定目標(biāo)。

供給收縮邏輯支撐訴訟指控

今年6月25日，三星、SK海力士與美光在加利福尼亞州聯(lián)邦法院遭到集體訴訟。訴訟主張代表近期DRAM價(jià)格上漲期間購(gòu)買含商用DRAM產(chǎn)品的消費(fèi)者及企業(yè)群體，指控三家公司憑借其在全球DRAM市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，以向AI關(guān)鍵高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型為由，協(xié)調(diào)削減DDR3、DDR4等傳統(tǒng)存儲(chǔ)格式的生產(chǎn)，人為推高價(jià)格。

美國(guó)銀行報(bào)告所揭示的產(chǎn)能擴(kuò)張滯后問(wèn)題，與上述訴訟的核心邏輯形成呼應(yīng)。若SK海力士至2028年的新增產(chǎn)能僅為原計(jì)劃的六分之一，則"新產(chǎn)能即將大規(guī)模入市"的市場(chǎng)敘事將難以成立，這也使三大廠商在訴訟中關(guān)于供給受制于客觀因素的抗辯面臨更大壓力。

供給緊張或?qū)⒊掷m(xù)

上述分析進(jìn)一步強(qiáng)化了存儲(chǔ)芯片供給長(zhǎng)期偏緊的判斷。SK海力士首席執(zhí)行官此前已公開警告，2027年將是存儲(chǔ)行業(yè)"有史以來(lái)最糟糕的一年"，短缺局面可能延續(xù)至2030年代。

對(duì)于投資者而言，存儲(chǔ)產(chǎn)能實(shí)質(zhì)性擴(kuò)張的時(shí)間節(jié)點(diǎn)被大幅后推，意味著DRAM價(jià)格在較長(zhǎng)周期內(nèi)仍將受到供給側(cè)制約。與此同時(shí)，集體訴訟的推進(jìn)走向，將成為影響三星、SK海力士及美光估值與市場(chǎng)預(yù)期的重要變量。