上海
這一輪內存閃存大漲價主要源于AI需求太大導致的供應失衡，一年來內存條價格漲了差不多500%，部分產品甚至達到了接近10倍的漲幅。
按照這樣的漲價情況，大家原本以為內存行業的產能是非常緊張的，然而來自半導體行業的匿名人士指出了其中的貓膩，稱內存的緊缺實際上是被夸大了的。
根據他的說法，2026年當前的內存缺口在4-5%左右，原先2025年的8%至9%短缺預測被證明是夸大的，因為三星和海力士等主要制造商成功從1b工藝技術過渡到1c工藝技術，而這一節點升級提升了位容量輸出，并填補了大部分預期的缺口。
2027年的缺口隨著美光、三星全面啟動新的生產設施，缺口預計會縮小到3%。
到了2028年，上半年可能還會面臨2-3%的缺口，但下半年會實現最終的供需平衡，價格也會逐步穩定。
需要說明的是，內存市場到底產能缺口有多大，估計誰也說不清楚，AI需求大，HBM消耗的產能也多，這都是事實，然而如果缺口真的大到缺一半那種程度，那當前的AI投資早就應該熄火了才對。
至于缺口是不是這個員工爆料的只有4-5%，目前也不能完全確定他說的就是對的，但彭博這樣的知名金融機構前幾天給出的說法是今年Q2是最緊缺的時候，但也就是8%的缺口，明年內存需求達到基本平衡，缺口在2%以內，2028年開始也是過剩。
因此本輪內存漲價，與其說是AI需求爆發導致產能跟不上，倒不如說是很大程度上是各種勢力博弈上人為制造出來的緊缺災難，最大的受益者是誰不用說了，而且三大巨頭還渲染內存缺貨要持續到2030年之后，要持續下一個十年周期。
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