湖北
2026年7月2日，閃迪（Sandisk）官宣，旗下第十代3D NAND閃存產品——BiCS10 1Tb TLC閃存芯片，已正式面向產業鏈上下游客戶完成工程樣品交付。
BiCS10 1Tb TLC閃存依托閃迪久經市場驗證的Bit-Cost Scalable（BiCS）堆疊3D NAND基礎架構，搭配CMOS直接鍵合陣列（CBA）核心工藝研發成型。搭載新一代橫向微縮制程技術，最終實現突破29Gb/mm2的超高單位面積存儲密度，比特存儲密度較上一代BiCS8產品提升59%。
在傳輸性能層面，該芯片原生支持最高4.8Gb/s的NAND總線接口速率，相較當前大規模商用落地的第八代BiCS8 3D NAND閃存，綜合接口傳輸性能提升33%。
在核心能效指標上，BiCS10架構完成了I/O功耗模型的專項優化，大幅優化閃存讀寫全鏈路能耗管控能力。對比同規格BiCS8閃存芯片，該新品數據寫入輸入功耗降低10%，數據讀出輸出功耗降幅高達34%。
BiCS10 TLC的四大核心技術亮點：
1、超高速總線接口
原生支持最高4.8Gb/s NAND接口傳輸速率，相比量產版BiCS8閃存綜合性能提升33%，滿足高并發突發讀寫需求。
2、行業頂尖存儲密度
搭載332層垂直堆疊存儲單元，配合芯片級版圖布局優化設計，單位面積比特密度漲幅達59%，峰值突破29Gb/mm2。
3、全域優化能效比
重構芯片讀寫能耗鏈路，標準化測試工況下，數據輸入功耗下降10%、數據輸出功耗下降34%，大幅降低數據中心整機散熱與供電成本。
4、全鏈路先進協議兼容
原生適配Toggle DDR 6.0、SCA存儲控制協議、PI-LTT低時延傳輸技術，實現高帶寬吞吐與低功耗運行的最優平衡。
總的來看，從行業發展維度來看，BiCS10閃存芯片順利送樣，補齊了AI底層基礎設施高密低耗存儲的硬件短板。未來，隨著該工藝芯片進入規模化量產階段，將為高端企業級固態硬盤、AI算力集群存儲底座、超算中心高性能存儲陣列提供核心硬件支撐。
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