河北
近日，國家科學技術獎勵大會、兩院院士大會、中國科協第十一次全國代表大會在北京人民大會堂隆重召開。在這場中國科技界的盛會上，杰華特微電子股份有限公司參與完成的“高精度低功耗模擬前端集成電路關鍵技術與應用”項目榮獲國家科學技術進步獎二等獎。
國家科學技術進步獎是國家科學技術獎三大獎項之一，代表中國科技領域的最高榮譽。2025年度國家科學技術獎共評選出258個項目和11名科技專家，其中國家科學技術進步獎149項，其中特等獎3項、一等獎13項、二等獎133項。本年度共受理906個提名項目，僅149個項目最終獲獎。該項目在激烈的競爭中脫穎而出，充分彰顯其技術先進性與行業價值。
“高精度低功耗模擬前端集成電路關鍵技術與應用”項目由西安電子科技大學、杭州士蘭微電子股份有限公司、杰華特微電子股份有限公司、芯海科技（深圳）股份有限公司、廣東賽微微電子股份有限公司共同完成。
在模擬芯片領域，高精度與低功耗之間的固有矛盾長期制約著產業升級。項目緊密圍繞關鍵瓶頸，針對高精度傳感器和高精度復雜功率管理應用，系統研究了高精度低功耗模擬前端集成電路（AFE）關鍵技術。項目提出了高精度低功耗模數轉換器（ADC）高效設計方法，突破了高精度傳感降噪讀取和信號調理、復雜功率系統的高精度電壓電流采樣和控制等關鍵技術，取得了系列化創新成果。相關技術已廣泛應用于高精度模擬SoC等芯片產品，實現了規模化產業應用和國家重大工程應用。
該項目正是本次國家科技進步獎以“產學研聯合+工程化落地”為核心導向所重點表彰的典型代表，集中體現了突破“卡脖子”瓶頸、實現自主可控的硬科技攻關成果，充分彰顯了國家對硬科技攻關成果的高度重視與戰略引領。
此次榮獲國家科技進步獎二等獎，也是對杰華特在突破高精度與低功耗協同技術瓶頸、推動模擬芯片自主可控方面所做貢獻的肯定。面向未來，公司將繼續以自主工藝與核心技術創新為驅動，在高精度、低功耗模擬芯片技術領域持續突破。
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