先出手圍剿對手，英飛凌GaN反被中國全域禁售，這場仗輸在哪

文/王新喜

最近半導體圈出了件很多人沒看透分量的事：最高人民法院作出臨時禁令復議裁定，維持蘇州中院此前判決，正式禁止英飛凌相關氮化鎵（GaN）產品在中國境內銷售、許諾銷售及進口，并駁回英飛凌全部復議請求。

這是中國半導體產業發展幾十年，第一次在前沿核心賽道上，用對手最擅長的專利規則，走正規司法程序，從國家知識產權局到北京知識產權法院，再到最高法，三層核驗，專利有效性板上釘釘，把全球頂級巨頭清出了市場。

英飛凌先動的手

時間倒回2024年，彼時英諾賽科已經悄悄做到了全球GaN功率器件出貨量第一，市占率超過三成，把英飛凌、PI這些老牌廠商都甩在了身后。

根據Yole發布的2023-2024年全球的氮化鎵市場，英諾賽科以為30%位居第一，其次是Navitas（17%）、Power Integrations（15.2%）、EPC（13.5%）和英飛凌（11.2%）。

而且它不止是做低端快充，已經打進了英偉達AI數據中心的供應鏈，車規級產品也開始批量裝車。

英飛凌急了，擺開了全球圍剿的架勢，想把中國GaN龍頭直接掐死在上升期。

2024年中開始，英飛凌連出兩招殺招：在美國啟動337調查，在德國本土起訴。

這一套“成本產能拼不過，直接用專利規則降維打擊”，歐美企業玩了幾十年，經驗太豐富了，后發企業基本都是被動挨打的份。

但后來的兩個關鍵細節被業內關注。

第一，英飛凌告的四項專利，最后被撤掉了兩項，剩下的一項還是封裝類的外圍專利；

第二，英諾賽科早就做了規避設計，在售的新型號完全不侵權，所謂的禁售令，管的都是已經停產的老產品，實際殺傷力幾乎為零。

就在英飛凌把注意力都放在堵出海通道的時候，2025年，英諾賽科反手一劍，在蘇州中院起訴英飛凌，指控對方侵犯自己兩項GaN核心發明專利——

是功率器件的底層結構和制備方法，屬于那種“產品只要做出來就繞不開”的基礎專利。

后面的事大家都看到了：國知局駁回英飛凌的專利無效申請，北京知識產權法院再駁，蘇州中院一審判侵權成立，最高法復議維持原判。一路下來，英飛凌連輸四場，沒有翻盤空間。

英飛凌花了一年多，在德國與美國打了兩場聲勢浩大的專利戰，最后只封了對方一堆停產的舊型號；而英諾賽科只在國內打了一場，就直接封死了英飛凌在中國的全部GaN業務。

為什么贏的是英諾賽科

這容易讓人聯想到，中國企業在本土打官司有本土化優勢，但只要稍微了解下專利訴訟的邏輯就知道，要是專利本身站不住腳，別說三層司法核驗，就是第一關國知局的無效宣告都過不去。

英飛凌第一時間就申請了專利無效，過去很多國內企業的專利，都在這一步被廢掉了。但這次，它失敗了。

原因在于：英諾賽科的這兩項專利，是真的卡在了GaN技術路線的關鍵節點上。

作為全球功率半導體的老大哥，英飛凌過去的重心一直放在碳化硅（SiC）上，GaN更像是個“補充業務”，是2024年花大價錢收購加拿大公司GaN Systems拿來的。沒投入多少底層研發。

而英諾賽科從成立第一天起，就all in 硅基GaN這條路線，從8英寸產線量產，到器件結構迭代，邊造芯片邊把生產中踩過的坑、優化過的結構，一點點變成了底層專利。

這種從量產里磨出來的專利，不是實驗室里的紙面技術，是能卡死產品路線的。

英飛凌收購來的技術路線，剛好就踩在了這個坑里。

過去歐美企業擅長使用“專利壁壘”來對付正在崛起的對手，在氮化鎵這條全新的賽道上，中國企業第一次搶在了巨頭前面，把底層結構的專利，先攥在了自己手里。

其實英諾賽科在氮化鎵這條全新賽道，技術更過硬，是站在國內整個產業發展的大環境下。

我們知道，第三代半導體材料，大家聽說的已經很多了，最典型的就是碳化硅和氮化鎵。氧化鎵是第四代半導體材料的代表，第四代半導體材料，稱為“超寬禁帶半導體”。

而第三代，被稱為“寬禁帶半導體”，擁有更寬的禁帶，意味著氧化鎵可以承受更高的工作溫度和電場強度，可以用在更多極端場景上。

氧化鎵還有更高的載流子遷移率和飽和速度，使得氧化鎵制成的器件擁有更強的高頻、高速性能。

去年三月有一個業內關注的大事，我國在國際上首次成功生產8英寸氧化鎵單晶，成為首個掌握該項技術的國家，這是我國在第四代半導體領域全球領先的縮影。

根據氧化鎵相關專利來看，我國是世界上最大的專利申請國，占全部申請量的55%，簡單來說，氮化鎵和氧化鎵都是半導體材料，但分屬不同代際，氮化鎵是第三代代表，氧化鎵是第四代新星，我國在第四代都已經領先了，在這種情況下，國外廠商基本繞不開我國專利，在這種情況下，國外廠商要打專利戰，只能自討苦吃。

英飛凌的GaN專利，英諾賽科已經靠規避設計繞開；而英諾賽科的核心專利，是英飛凌產品進入中國市場繞不過去的坎。

功率半導體尤其是工業、車規級的產品，進入客戶供應鏈要走漫長的認證周期，車規級認證動輒一兩年，數據中心的供應商切換也需要反復驗證。

中國是全球最大的GaN消費市場，占了全球四成以上的需求，英飛凌在華的氮化鎵業務主要集中在工業/服務器高壓及車規級模塊等領域，因此一旦禁售，對其具有一定影響。

當然，它不會徹底退出GaN賽道，還能守著歐美本土的高端細分市場，但想要再回到全球第一梯隊，基本不可能了。

氮化鎵芯片的話語權，正在易主

過去幾十年，海外半導體巨頭進入中國市場，拿著歐美的專利，在中國隨便賣、隨便告中國企業侵權，幾乎沒代價。

這次之后，海外半導體巨頭被上了一課，時代已經變天了，來這里做生意，得尊重這里的知識產權，真的侵權了，真的會被清出去。

過去幾十年的產業突破，不管是家電、光伏還是新能源汽車，我們的路徑基本都是三步走：第一步靠成本和產能搶占中低端市場，第二步靠規模迭代追趕技術，第三步靠專利和標準掌握話語權。

過去我們的半導體產業，一直停留在前兩步。國產替代的核心是“能不能造出來”。

如今在下一代氮化鎵芯片上，我們已是全球領先，從產能到出貨量到底層核心專利都是第一，能靠規則把巨頭擋在門外。

臺灣省名嘴介文汲2024年就指出：“如果將來氮化鎵的第二代芯片出來的話，整個原材料在中國手里面，所以在現在這種情況下，市場技術掌握在中國，原材料掌握在中國，趨勢對中國更有利?！?/p>

如今介文汲的話被驗證了。

一旦我國的國產替代走到了第三階段，后面的規則主導就會順理成章。氮化鎵只是第一個。接下來在碳化硅、在射頻芯片、在更多的第三代半導體賽道，我們會看到越來越多類似的事情。

今天的氮化鎵，就像當年的光伏與新能源汽車。從被別人用專利卡脖子，到用專利卡別人的脖子；從規則的被動接受者，到主導規則話語權。英飛凌的這道禁令，不是終點，而是開始。