湖北
近日，三星、SK海力士與美光三大全球存儲芯片巨頭在美國深陷集體訴訟風波。原告方正式指控三家企業涉嫌達成行業默契，通過協同調整產能結構，蓄意縮減通用DRAM產能供給的壟斷行為，人為推高市場通用DRAM內存售價，擾亂全球存儲芯片市場秩序。
2026年6月25日，美國加利福尼亞州北區聯邦地區法院正式受理本案（案號3:26-cv-06345）。本次訴訟為集體維權訴訟，覆蓋本輪通用DRAM價格上漲周期內，所有采購搭載該類內存產品的個人消費者、中小微企業及各類商業機構，原告方訴求包括經濟損失賠償，同時申請法院出具禁令，禁止三家企業繼續實施壟斷定價與產能操控行為。
訴狀核心指控直指三家企業差異化產能布局的商業策略，認定其為刻意操縱市場價格的壟斷手段，具體違規行為分為三大維度：
1、絕對壟斷的市場支配地位
三家頭部企業合計占據全球DRAM市場90%以上的市場份額，幾乎壟斷全球通用內存產能與供貨渠道，完全具備單方面把控市場供給、干預產品定價的絕對市場影響力。
2、定向轉移核心產能賽道
三家企業統一調整生產重心，將大量產線、研發及產能資源傾斜至技術壁壘更高、AI算力場景剛需、利潤空間大幅領先的高帶寬內存（HBM）賽道。
3、協同收縮通用內存供給
原告方舉證指出，三家企業以布局HBM高端賽道為統一借口，同步縮減DDR4、DDR5等主流通用消費級、企業級DRAM產能，直接造成全球通用DRAM市場供需失衡。在行業前期低價出清庫存的基礎上，觸發價格大幅反彈，行業數據顯示，近四年全球通用DRAM價格最高漲幅達700%，形成持續性芯片漲價潮。
最近半年來，持續走高的存儲芯片價格，讓PC、服務器、消費電子等全產業鏈下游終端制造商面臨剛性成本上漲壓力，盈利空間被持續壓縮。聯想等多家主流硬件廠商紛紛發聲預警，認為內存高價狀態或將長期持續，成為行業發展“新常態”。
本次集體訴訟為三大存儲巨頭帶來了強力的反壟斷監管壓力，但美股反壟斷集體訴訟流程繁瑣、審理周期漫長，短期內難以通過司法手段改變當前存儲芯片的供需格局與價格走勢。從行業供需基本面來看，通用DRAM價格短期回落的動力嚴重不足，漲價態勢仍將延續。
總體來看，本次跨國集體訴訟，為全球存儲芯片行業的壟斷經營、惡意控價亂象敲響監管警鐘，推動行業反壟斷合規監管進一步升級。但從行業本質來看，受AI產業爆發帶動的高端內存剛需紅利加持，疊加三大巨頭牢牢掌控全球DRAM核心產能，通用DRAM供需失衡、價格高企的市場格局短期難以徹底扭轉。
在這種情況下，預計在未來一至兩年，下游終端廠商、各行各業企業采購端以及普通消費者，仍將持續面臨內存成本偏高、終端產品售價居高不下的現狀，前景依然不容樂觀。小編將在第一時間分享更多相關最新動態和爆料，敬請關注。
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