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美東時間周五,在韓國存儲巨頭SK海力士在美股納斯達克首秀之日,其首席執行官郭魯正表示,全球存儲行業預計在2027年將面臨史上最嚴重的供應短缺。
他還強調,盡管該公司正在大力擴產,但預測未來十年內,存儲需求仍將長期超過其生產能力。
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SK海力士:史上最大存儲短缺明年到來
據財聯社報道,“我們預計明年將成為該行業歷史上供應最緊張的一年……客戶的需求持續增長,而我們的產能卻存在限制。我們仍預計,即使到2030年以后,客戶需求仍將高于我們的供應能力。但我們正盡最大努力解決這一問題。”
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郭魯正。(SK海力士官網)
郭魯正的這番言論是在這家韓國芯片制造商成功上市之后發表的。
SK海力士憑借其在英偉達芯片組所用HBM開發領域的領先地位,已成為人工智能供應鏈中的關鍵企業。 這家韓國存儲芯片廠商 在7月10日迎來納斯達克首秀。按規定,當日SK海力士以“when-issued”(“預發行”)方式開始交易,臨時代碼為SKHYV(預計7月13日交易轉為正常,代碼將變更為SKHY)。市場表現方面,該ADR首日開盤價為170美元,較發行價149美元漲約14.1%,盤中最高觸及177美元,收盤報于168.01美元,漲12.76%。這較其周五韓股溢價約15%(發行價已較韓股7月8日收盤價溢價約3%);對應市值達到1.22萬億美元。
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SK海力士本次整體募資規模約為265億美元,超過阿里巴巴2014年創下的250億美元募資紀錄,成為外國企業在美國規模最大的IPO,并且,認購倍數超過七倍。據媒體7月8日透露,認購需求來自全球長線基金、科技行業專項基金、主權財富基金及亞洲主題全球投資者等多類機構。其中,Baillie Gifford、Coatue Management和Situational Awareness Partners已表達合計高達70億美元的認購意向。
此次公開發行的聯席主承銷商為美國銀行、花旗集團、高盛和摩根大通。
據披露,IPO募集資金將主要用于:龍仁綜合體的Fab 1工廠和清州的P&T7 先進封裝 工廠,購置光刻機等。
郭魯正還表示,美國仍然是其未來晶圓制造投資的幾個候選地之一,盡管目前尚未做出決定。他表示,公司會優先考慮那些能夠提供充足土地、電力、水源和熟練工人,并具備有競爭力的制造成本的地區。
“發行的目的之一在于與AI客戶建立更緊密的合作關系,并擴大AI人才的獲取渠道。”他說。
SK集團會長崔泰源則表示,未來需求將呈指數級增長,若公司能夠獲得足夠的回報以吸引投資者,不排除進一步增發美股的可能性。
與此同時,這家內存制造商正在考慮以新的方式出售其技術,包括一種“內存即服務”的概念。崔泰源透露,未來會建議客戶租用存儲資源而非直接購買芯片,以此解決AI相關的內存容量瓶頸。
如今的郭魯正,已成為AI行業的座上賓。在6月初的臺北國際電腦展上,黃仁勛在當地一家臺菜餐廳專門設宴,請郭魯正以及三星電子和LG電子等一眾韓國科技公司高管赴宴。同月,郭魯正獲邀出席微軟年度CEO峰會。
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6月1日,SK集團郭魯正(左三)與黃仁勛見面。(SK海力士社交媒體賬號)
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投行力挺:SK海力士ADR有望上漲45%
韓股股價或飆升115%
SK海力士赴美上市背后還有突破韓國資本市場估值折價的考量。
知名半導體及人工智能研究機構SemiAnalysis的存儲行業分析師Junsung Kim對每經記者解釋說,按2027年預期市盈率計算,SK海力士目前約為4.8倍,美光科技約為6.2倍,這意味著SK海力士相對美光科技存在約25%至30%的估值折價。折價主要源于外資持股比例限制、財閥治理結構帶來的市場顧慮,以及韓股本土市場本身的估值溢價差異。
在Dave Mazza看來,SK海力士的基本面一直都沒問題,限制其估值的還有投資便利性問題。“此前,美國機構投資者如果想投資SK海力士,需要面對時差、匯率波動以及流動性有限等障礙。納斯達克上市后,SK海力士將成為一只以美元計價、交易便利、流動性更高的證券,機構投資者買入它,將和買入其他美國大型上市公司一樣方便。”
目前,市場對SK海力士ADR普遍持樂觀態度。Junsung Kim認為,IPO完成后,SK海力士ADR將很快縮小與美光科技之間的估值差距,“這種估值修復初期很可能表現為ADR相對于韓國本土普通股出現一定的交易溢價,未來,SK海力士ADR與韓國普通股能否實現相互轉換,將成為推動公司整體估值重估(re-rating)的關鍵因素。我預計,公司未來可能會允許一定規模的雙向轉換。”
匯豐銀行分析師認為,SK海力士在納斯達克上市可能幫助公司估值提升20%。不僅如此,隨著全球投資者可及性改善以及股東友好措施更加積極,SK海力士市凈率(Price-to-Book Ratio,是指每股股價與每股凈資產的比率)有望從2.8倍提升至3.4倍。
韓國專業資產管理機構Eugene Asset Management首席投資官Ha SeokKeun直言,(SK海力士)ADR的潛在漲幅可能高達45%。
不僅如此,ADR的發行還將拉動SK海力士在韓國本土的普通股股價。Eugene Asset Management與Jupiter Asset Management預計,若SK海力士2027年遠期市盈率追平美光,其韓國上市股票未來一年具備約30%的上漲空間。
據每經記者最新梳理,大信證券(Daisin Securities)7月7日將SK海力士(韓股)目標價上調至390萬韓元,稱ADR上市將成為重要催化因素。這一預測相較7月9日收盤價(218.6萬韓元)有78%的上漲空間。野村更是喊出了470萬韓元的目標價,上行空間高達115%。
另外,分析師預計SK海力士上市后可能加入費城半導體指數,這將進一步提升其在全球科技資金中的可見度。
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機構預計HBM價格2027年實現翻倍
被譽為“HBM之父”的韓國科學技術院(KAIST)電氣系教授金正浩近日直言,AI產業的核心競爭力正在從GPU逐步轉向內存。
過去兩年,全球AI產業鏈的核心敘事幾乎都圍繞GPU展開。但隨著大模型參數規模、上下文長度和推理調用量持續擴容,算力瓶頸正在從“有沒有GPU”轉變為“GPU能不能獲得足夠快、足夠大的存儲帶寬”。而這正是HBM的價值所在。
SK海力士是全球最大HBM芯片制造商,HBM是一種基于3D堆棧工藝的高性能動態隨機存取存儲器(DRAM),這類芯片是英偉達、AMD等公司GPU進行大規模數據處理的關鍵組件。AI基礎設施支出的爆發式增長,推動HBM芯片供不應求,價格大幅攀升,令存儲芯片制造商成為華爾街最炙手可熱的投資標的之一。
據Gartner預測,全球存儲半導體市場規模將從2025年的2160億美元增長至2026年的6330億美元,同比增長192.7%,并以86.0%的年復合增長率從2025年增長至2027年的約7480億美元。這一增長預計主要得益于HBM領域的快速增長,HBM是支撐人工智能計算和存儲需求的重要組成部分,同時DRAM和NAND產品的平均售價也大幅上漲。
該機構測算,HBM收入預計將從2025年的330億美元增長到2027年的860億美元,年復合增長率為60.5%。價格方面,7月10日,DigiTimes最新報告援引業內人士觀點稱,受AI算力需求爆發、產能結構性緊缺雙重因素影響,HBM價格預計2027年實現翻倍。
“下一代HBM4的價格可能從2026年下半年約2美元/千兆比特飆升至4至5美元,甚至更高。”行業消息人士稱。據介紹,漲價核心源于兩大生產原因:一是HBM4工藝制造難度極高,生產周期長達4至6個月,初期良品率偏低;其次,生產HBM4所需晶圓面積是普通DDR5內存的3倍,現有產線產能釋放空間被大幅壓縮。
當前全球HBM三大主要生產商——三星電子、SK海力士和美光科技正通過與一級AI客戶簽訂為期三到五年的長期協議,鎖定全球內存供應。
從行業格局來看,Counterpoint Research數據顯示,今年第一季度,SK海力士拿下了58%的HBM市場份額,而美光和三星各占21%。據IDC數據,SK海力士也是最大的DRAM供應商,對應市場份額為29.1%;第二大NAND供應商,市場份額為18.5%。
有分析師預計,憑借早期供應優勢,SK海力士2026年HBM市場份額仍有望保持在60%以上。
行業高景氣背景下,三家公司的業績亦集體爆表。其中,SK海力士2026財年第一季度營業收入為52.58萬億韓元,同比增加198%;凈利潤為40.35萬億韓元,同比增加398%。當季營業利潤為37.6萬億韓元,營業利潤率約72%,刷新其史上最高紀錄。這一盈利水平不僅高于臺積電同期58.1%的營業利潤率,也高于英偉達2027財年第一財季(截至2026年4月26日)約65.6%的GAAP營業利潤率。
美光科技2026財年第三財季(截至2026年5月28日)Non-GAAP凈利潤飆升至288.6億美元,同比上漲約1224%;當季毛利率攀升至84.9%,創下公司自1978年成立以來的歷史最高水平。公司管理層在上個月的電話會上曾表態,雖然其新增投資將主要用于HBM、先進DRAM以及先進封裝產能建設,但目前無法預測內存供應何時才能趕上不斷增長的需求。這一措辭與SK海力士的觀點如出一轍。
據證券時報報道,曾與韓國存儲廠商有過接觸的國內產投人士向記者表示,除了自身發展,目前海外存儲大廠高管同時在關注中國存儲廠商的擴產進展,國內“兩存”(長鑫存儲和長江存儲)或將成為未來存儲市場長期最大的變量。
“近期蘋果尋求獲批采購長鑫存儲(CXMT)的DRAM內存芯片的消息并非空穴來風。長期而言,國內‘兩存’是這個市場最大的變量,國內廠商在技術提升、擴產等方面的速度和效率均存在超預期可能。”該投資人士向記者分析稱。
(免責聲明:本文內容與數據僅供參考,不構成投資建議,使用前請核實。據此操作,風險自擔。)
來源 | 每日經濟新聞
編輯 | 劉思婷
終審 | 王宛
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